{"id":26356,"date":"2017-09-18T15:40:21","date_gmt":"2017-09-18T19:40:21","guid":{"rendered":"http:\/\/www.ing.una.py\/?p=26356"},"modified":"2024-09-13T13:53:20","modified_gmt":"2024-09-13T17:53:20","slug":"se-presento-en-la-fiuna-la-cuarta-de-diez-tesis-de-maestria-en-ingenieria-electronica","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ing.una.py\/FIUNA3\/?p=26356","title":{"rendered":"Se present\u00f3 en la FIUNA la cuarta de diez Tesis de Maestr\u00eda en Ingenier\u00eda Electr\u00f3nica"},"content":{"rendered":"<p><![CDATA[El pasado viernes 15 de septiembre, el\u00a0<strong>Ing.\u00a0<\/strong><strong>Julio C\u00e9sar Pacher Vega <\/strong>present\u00f3 exitosamente la Defensa de Tesis de Maestr\u00eda en Ingenier\u00eda Electr\u00f3nica de la\u00a0<strong>Facultad de Ingenier\u00eda de la Universidad Nacional de Asunci\u00f3n (FIUNA)<\/strong>, titulada<strong>\u00a0<\/strong>\u00a0<em>\u201c<strong>An\u00e1lisis de eficiencia de celdas puente-h basadas en tecnolog\u00eda MOSFET de carburo de silicio para aplicaciones en filtros activos de potencia<\/strong>\u201d<\/em>. Recibiendo as\u00ed el t\u00edtulo de M\u00e1ster en Ingenier\u00eda Electr\u00f3nica.<!--more-->\nLa Tesis de Maestr\u00eda se enfoca en el an\u00e1lisis y el dise\u00f1o de un esquema de convertidor Puente-H con estructura modular para su aplicaci\u00f3n en filtros activos de potencia. Los objetivos de este trabajo engloban adem\u00e1s el montaje y la validaci\u00f3n experimental del esquema propuesto.\n\n\n<blockquote>Primeramente se brinda una descripci\u00f3n de las topolog\u00edas mayormente utilizadas en el dise\u00f1o de los convertidores de potencia, las ventajas que presenta cada esquema as\u00ed como sus limitaciones. Posteriormente se analiza las principales configuraciones de interconexi\u00f3n de filtros activos de potencia describiendo las ventajas que presenta cada una de ellas. El documento presenta las caracter\u00edsticas m\u00e1s relevantes de los dispositivos electr\u00f3nicos de potencia utilizados para el dise\u00f1o de los convertidores entre los que se destacan los IGBT, MOSFET y los SiC-MOSFET, dando un trato especial a los dispositivos SiC-MOSFET, los cuales pertenecen a las nuevas familias de semiconductores basados en Carburo de Silicio (SiC), los cuales presentan ventajas comparativas para su utilizaci\u00f3n en dispositivos que operan en condiciones extremas de temperatura, voltaje y frecuencia. Comenta el Ing. Pacher<\/blockquote>\n\n\nEn este contexto, el libro recopila el an\u00e1lisis mediante simulaciones utilizando el entorno PSpice, obteniendo estimaciones de las p\u00e9rdidas de potencia y el rendimiento del esquema dise\u00f1ado as\u00ed como la comprobaci\u00f3n de las caracter\u00edsticas deseadas durante el proceso de dise\u00f1o tales como la ausencia de interferencias, oscilaciones u otros tipos de ruido.\nFinalmente, se realiz\u00f3 un an\u00e1lisis cuantitativo de la eficiencia a partir de mediciones realizadas sobre una plataforma experimental dise\u00f1ada. Como principal aporte de esta Tesis de Maestr\u00eda, se realiz\u00f3 la validaci\u00f3n del dise\u00f1o propuesto determinando las p\u00e9rdidas de potencia para diferentes valores de voltaje de DC-Link y frecuencia de conmutaci\u00f3n.]]>    \t<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Ing.\u00a0Julio C\u00e9sar Pacher Vega present\u00f3 exitosamente la Defensa de Tesis de Maestr\u00eda en Ingenier\u00eda Electr\u00f3nica de la\u00a0Facultad de Ingenier\u00eda de la Universidad Nacional de Asunci\u00f3n (FIUNA), titulada\u00a0\u00a0\u201cAn\u00e1lisis de eficiencia de celdas puente-h basadas en tecnolog\u00eda MOSFET de carburo de silicio para aplicaciones en filtros activos de potencia\u201d. 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