La Facultad de Ingeniería de la Universidad Nacional de Asunción (FIUNA), ha realizado recientemente una contribución al estado del arte en el campo de la electrónica de potencia mediante la publicación de un artículo científico en la revista INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS LETTERS. La publicación se ha realizado en el marco del proyecto de investigación 14-INV-096 denominado «Análisis, diseño e implementación de nuevos sistemas de compensación basados en filtros activos para la mejora de la calidad de la potencia eléctrica» y es financiado por el CONACYT.

Pacher, J. Rodas, R. Gregor, M. Rivera, A. Renault, L. Comparatore, “Efficiency Analysis of a Modular H-Bridge based on SiC MOSFET,” International Journal of Electronics Letters, DOI 10.1080/21681724.2018.1426111, 2018. (Artículo publicado).

El mismo fue realizado por los docentes investigadores MSc. Ing. Julio Pacher, Prof. Dr. Jorge E. Rodas Benítez, Prof. Dr. Raúl Gregor, MSc. Ing. Alfredo Renault y el MSc. Ing. Leonardo Comparatore, todos adscritos al Laboratorio de Sistemas de Potencia y Control (LSPyC), dependiente de la Dirección de Investigación de la FIUNA. Asimismo, el trabajo de investigación publicado contó con la colaboración del Prof. Dr. Marco Rivera perteneciente a la Universidad de Talca (Chile).

El principal aporte de este trabajo ha sido el análisis teórico y experimental de un nuevo semiconductor de potencia basado en tecnología de carburo de silicio (SiC). Este trabajo encuentra aplicación práctica en proyectos de investigación desarrollados por la FIUNA en el campo de la mejora de la calidad de red, mediante filtros activos de potencia del tipo shunt para la compensación simultánea de armónicos en corriente, factor de potencia y consecuentemente de la potencia reactiva.